1.一种无光引发剂的光刻胶，其特征是，按质量百分比计，包含4‑84wt％的含硅氢键

　　化合物A、1‑86wt％含羟基化合物B和0‑91wt％溶剂C，所述含羟基化合物B由羟基硅油B‑1和

　　2.根据权利要求1所述的无光引发剂的光刻胶，其特征是，所述含硅氢键化合物A由

　　支链含氢硅油A‑1和端含氢硅油A‑2化合物中的一种或两种按任意配比混合组成，所述含硅

　　3.根据权利要求1所述的无光引发剂的光刻胶，其特征是，所述溶剂C为由丙二醇甲

　　醚醋酸酯、丙酮、甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷、乙醇、异丙醇、2‑乙氧基乙醇、3‑甲氧基丙酸甲

　　4.一种权利要求1所述无光引发剂的光刻胶的制备方法，其特征是，所述含羟基化合

　　物B包括B‑2、B‑3、B‑4化合物中的至少一种，所述制备方法具体为：首先将含硅氢键化合物

　　A、含羟基化合物B及溶剂C按照比例混合均匀，然后用孔径为0.22‑0.45微米的滤膜进行过

　　5.一种无光引发剂的光刻胶的图案化方法，所述光刻胶采用权利要求4所述的制备方

　　(1)将无光引发剂的光刻胶滴加在旋涂衬底上，利用匀胶仪旋涂得到光刻胶薄膜；

　　6.一种权利要求1所述无光引发剂的光刻胶的制备方法，其特征是，所述含羟基化合

　　物B为羟基硅油B‑1，所述制备方法具体为：首先将含硅氢键化合物A、含羟基化合物B按照比

　　7.一种无光引发剂的光刻胶的图案化方法，所述光刻胶采用权利要求6所述的制备方

　　8.根据权利要求5或7所述的基于硅氢加成反应的飞秒激光光刻胶的图案化方法，其特

　　9.根据权利要求5或7所述的基于硅氢加成反应的飞秒激光光刻胶的图案化方法，其特

　　征在于，所述显影液由丙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、丙酮、乙醇和异丙醇中的一种或多种按任

　　极高的中心区域发生双光子或多光子吸收，达到材料反应的阈值，从而能够有效地控制聚

　　等组分构成，光子激发曝光区域的光刻胶发生光化学反应，使其在显影液中的溶解度发生

　　明显变化，以此来实现图案化。其中，光引发剂需与体系匹配，且反应后可能残余少量光引发

　　系，同时能增加与基材的附着力，可应用于微流控器件、光通信领域、微型谐振腔激光器

　　无光引发剂的光刻胶，按质量百分比计，包含4‑84wt％的含硅氢键化合物A、1‑86wt％含羟

　　基化合物B和0‑91wt％溶剂C，所述含羟基化合物B由羟基硅油B‑1和下列B‑2、B‑3、B‑4化合

　　进一步地，所述含硅氢键化合物A由支链含氢硅油A‑1和端含氢硅油A‑2化合物中

　　的一种或两种按任意配比混合组成，所述含硅氢键化合物A室温粘度为20‑100cSt。

　　进一步地，所述溶剂C为由丙二醇甲醚醋酸酯、丙酮、甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷、乙

　　醇、异丙醇、2‑乙氧基乙醇、3‑甲氧基丙酸甲酯和二乙二醇二中的一种或多种按任意配

　　羟基化合物B包括B‑2、B‑3、B‑4化合物中的至少一种，所述制备方法具体为：首先将含硅氢

　　键化合物A、含羟基化合物B及溶剂C按照比例混合均匀，然后用孔径为0.22‑0.45微米的滤

　　(1)将基于硅氢加成反应的飞秒激光光刻胶滴加在旋涂衬底上，利用匀胶仪旋涂

　　羟基化合物B为羟基硅油B‑1，所述制备方法具体为：首先将含硅氢键化合物A、含羟基化合

　　物B按照比例混合，然后置于滚轴混匀仪上混合均匀，最后得到无光引发剂的光刻胶。

　　进一步地，所述显影液由丙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、丙酮、乙醇和异丙醇中的一种

　　子吸收，通过飞秒激光诱导硅氢键和羟基进行反应，形成交联网络，从而显影后得到图案，

　　操作简单，环境友好；通过调节体系中不同组分活性基团配比，能调整光刻胶阈值和精

　　度；将硅氧烷结构引入光刻胶体系中，具有耐腐蚀、耐氧化稳定性、电绝缘和耐高温等特性。

　　图1是本发明实施例2的光刻胶飞秒激光直写光刻胶加工所得的线的光刻胶飞秒激光直写光刻胶加工所得的SEM图。

　　是说明性的而非限制性的，将有利于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不应以任何

　　形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的基本构思和

　　方法的前提下，还能做出一些调整和改进。实施例中所涉及的药品和试剂本领域技术人

　　本发明的无光引发剂的光刻胶，按质量百分比计，包含4‑84wt％的含硅氢键化合

　　其中，含硅氢键化合物A由支链含氢硅油A‑1和端含氢硅油A‑2化合物中的一种或

　　含羟基化合物B由羟基硅油B‑1和下列B‑2、B‑3、B‑4化合物中的一种或多种按任意

　　溶剂C为由丙二醇甲醚醋酸酯、丙酮、甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷、乙醇、异丙醇、2‑

　　乙氧基乙醇、3‑甲氧基丙酸甲酯和二乙二醇二中的一种或多种按任意配比混合组成的

　　含羟基化合物B包括B‑2、B‑3、B‑4化合物中的至少一种时，制备方法具体为：首先

　　将含硅氢键化合物A、含羟基化合物B及溶剂C按照比例混合均匀，然后用孔径为0.22‑0.45

　　(1)将无光引发剂的光刻胶滴加在旋涂衬底上，利用匀胶仪旋涂得到光刻胶薄膜；

　　其中，飞秒激光的波长为500‑780nm，显影液由丙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、丙酮、乙

　　另外，含羟基化合物B为羟基硅油B‑1时，制备方法具体为：首先将含硅氢键化合物

　　A、含羟基化合物B按照比例混合，然后置于滚轴混匀仪上混合均匀，最后得到无光引发剂的

　　其中，飞秒激光的波长为500‑780nm，显影液由丙二醇甲醚醋酸酯、甲苯、丙酮、乙

　　将无光引发剂的光刻胶滴加在基底上，利用波长为532nm的飞秒激光直写装置对

　　光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸入甲苯显影液中浸泡20min，然后转移到异丙醇中浸

　　17.1g丙二醇甲醚醋酸酯溶剂中混合均匀，用滤膜进行过滤除去杂质后得到无光引发剂的

　　进行烘烤。利用波长为525nm的飞秒激光直写装置对光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸

　　入丙二醇甲醚醋酸酯显影液中浸泡8min，然后转移到异丙醇中浸泡2min，静置干燥，得到光

　　称取1g  80cSt含硅氢键化合物A‑1和2 .5g含羟基化合物B‑3(单体摩尔分数＝

　　50％，Mn＝3000‑5000)，溶于14g丙酮溶剂中混合均匀，用滤膜进行过滤除去杂质后得到无

　　进行烘烤。利用波长为700nm的飞秒激光直写装置对光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸

　　入丙酮显影液中浸泡10min，然后转移到乙醇中浸泡2min，静置干燥，得到光刻图案。

　　14.2g甲苯溶剂中混合均匀，用滤膜进行过滤除去杂质后得到无光引发剂的光刻胶。

　　进行烘烤。利用波长为780nm的飞秒激光直写装置对光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸

　　入甲苯显影液中浸泡8min，然后转移到异丙醇中浸泡3min，静置干燥，得到光刻图案。

　　20.7g丙二醇甲醚醋酸酯溶剂中混合均匀，用滤膜进行过滤除去杂质后得到无光引发剂的

　　进行烘烤。利用波长为500nm的飞秒激光直写装置对光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸

　　入甲苯显影液中浸泡25min，然后转移到异丙醇中浸泡5min，静置干燥，得到光刻图案。

　　含不饱和双键化合物B‑1，置于滚轴混匀仪上混合均匀，得到无光引发剂的光刻胶。

　　将无光引发剂的光刻胶滴加在基底上，利用波长为525nm的飞秒激光直写装置对

　　光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸入丙二醇甲醚醋酸酯显影液中浸泡20min，然后转移

　　11.7g  3‑甲氧基丙酸甲酯溶剂中混合均匀，用滤膜进行过滤除去杂质后得到无光引发剂的

　　进行烘烤。利用波长为780nm的飞秒激光直写装置对光刻胶进行曝光。将曝光后的光刻胶浸

　　入丙二醇甲醚醋酸酯显影液中浸泡13min，然后转移到乙醇中浸泡2min，静置干燥，得到光

　　本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可

　　以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发